RM150N60HD

Rectron USA

RM150N60HD

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 150A TO263-2

В производствеАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 75A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 25 V
ПроизводительRectron USA
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность220W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Корпус производителяTO-263-2

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)