Общие
| Channel Type | Independent |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Производитель | Power Integrations |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Obsolete |
| Rise / Fall Time (Typ) | 100ns, 80ns |
| Серия | SCALE™-1 |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Channel Type | Independent |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Производитель | Power Integrations |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Obsolete |
| Rise / Fall Time (Typ) | 100ns, 80ns |
| Серия | SCALE™-1 |
| Напряжение питания | 14V ~ 16V |
|---|
| Корпус | Box |
|---|---|
| Package / Case | 36-DIP Module, 24 Leads |
| Корпус производителя | Module |
| Рабочая температура | -40°C~85°C(TA) |
|---|