Общие
| Driven Configuration | Half-Bridge |
|---|---|
| Gate Type | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Производитель | Power Integrations |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 160ns, 130ns |
| Серия | SCALE™-1 |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 18A, 18A |
|---|
Механические
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 44-DIP Module, 42 Leads |
| Корпус производителя | Module |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~85°C |
|---|