Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Channel Type | Independent |
|---|---|
| Driven Configuration | High-Side or Low-Side |
| Gate Type | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Производитель | Power Integrations |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 20ns, 20ns |
| Серия | SCALE™-2 |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 35A, 35A |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 1700 V |
| Напряжение питания | 14.5V ~ 15.5V |
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | Module |
| Корпус производителя | Module |
| Рабочая температура | -40°C~85°C(TA) |
|---|