Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 15V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Производитель | PN Junction Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | P3M |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 2mA (Typ) |
| Напряжение сток-исток | 1700 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 100W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 |
| Корпус производителя | TO-220-2L |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|