P3M06300K3

Name: P3M06300K3
Brand: PN Junction Semiconductor

Аналоговые и силовые компоненты

SICFET N-CH 650V 9A TO-247-3

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	500mOhm @ 4.5A, 15V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	904 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	338 pF @ 400 V
Производитель	PN Junction Semiconductor
Тип монтажа	Through Hole
Product Status	Active
Серия	P3M
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 5mA (Typ)

Напряжение сток-исток	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A
Макс. рассеиваемая мощность	38W

Рабочая температура	-55°C~175°C(TJ)