Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 10A, 15V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Производитель | PN Junction Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | P3M |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 5mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 131W |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-4 |
| Корпус производителя | TO-247-4L |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|