Общие
| Производитель | PN Junction Semiconductor |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Серия | P3D |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 28A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 45 µA @ 650 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220I-2 |
| Корпус производителя | TO-220I-2 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|