Общие
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Производитель | PN Junction Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 55.5W |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Корпус производителя | DFN8*8 |
Среда
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|