PSMB055N08NS1_R2_00601

Panjit International Inc

PSMB055N08NS1_R2_00601

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

80V/ 5.5MOHM / MV MOSFET

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4773 pF @ 40 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.75V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C108A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность113.6W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяTO-263

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)