PJW7N04_R2_00001

Panjit International Inc

PJW7N04_R2_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Снят с производстваTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds410 pF @ 20 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность3.1W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Корпус производителяSOT-223

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)