PJW5N10_R2_00001

Panjit International Inc

PJW5N10_R2_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

В производствеTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 2.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds707 pF @ 30 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta), 5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.1W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Корпус производителяSOT-223

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)