20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 2.5A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 522 pF @ 10 V |
| Производитель | Panjit International Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 750mW (Ta) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
|---|---|
| Корпус производителя | SOT-363 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|