PJS6417_S1_00001

Panjit International Inc

PJS6417_S1_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

В производствеSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 6.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1760 pF @ 10 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta)

Механические

Package / CaseSOT-23-6
Корпус производителяSOT-23-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)