PJS6415AE_S1_00001

Panjit International Inc

PJS6415AE_S1_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Снят с производстваSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.9A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds602 pF @ 10 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
Корпус производителяSOT-23-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)