PJQ5866A_R2_00001

Name: PJQ5866A_R2_00001
Brand: Panjit International Inc

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 7A/40A 8DFN

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 20A, 10V
Базовый Part Number	PJQ5866
Конфигурация	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1574pF @ 25V
Производитель	Panjit International Inc.
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Напряжение сток-исток	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Ta), 40A (Tc)
Power - Max	1.7W (Ta), 56W (Tc)

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)