PJQ5850_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ5850_R2_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 40V 5A/14A 8DFN

Снят с производства8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 8A, 10V
Базовый Part NumberPJQ5850
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds425pF @ 25V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR)
Статус позицииNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta), 14A (Tc)
Power - Max1.7W (Ta), 12W (Tc)

Механические

Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяDFN5060B-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)