PJQ5458A_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ5458A_R2_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Снят с производства8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds815 pF @ 15 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.4A (Ta), 16A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta), 27W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяDFN5060-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)