PJQ5445_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ5445_R2_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Снят с производства8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 15A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2030 pF @ 25 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.5A (Ta), 45A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta), 63W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяDFN5060-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)