PJQ4602_R1_00001

Panjit International Inc

PJQ4602_R1_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8DFN

Снят с производства8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 6A, 10V, 31mOhm @ 4A, 10V
Базовый Part NumberPJQ4602
КонфигурацияN and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds343pF @ 15V, 870pF @ 15V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.4A (Ta), 18.5A (Tc), 6.4A (Ta), 18A (Tc)
Power - Max2W (Ta), 17.8W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителяDFN3030B-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)