PJQ4468AP_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ4468AP_R2_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1173 pF @ 25 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta), 18A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta), 24W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяDFN3333-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)