PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Panjit International Inc

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Аналоговые и силовые компоненты

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds509 pF @ 15 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A (Ta), 11A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.4W (Ta), 23.8W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяDFN3333-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)