PJQ4411P_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ4411P_R2_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 8A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4659 pF @ 15 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 60A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta), 60W (Tc)

Механические

Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяDFN3333-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)