PJQ4407P_R1_00001

Panjit International Inc

PJQ4407P_R1_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Снят с производства8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 8A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1169 pF @ 15 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.5A (Ta), 30A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta), 27W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяDFN3333-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)