PJQ2800_R1_00001

Panjit International Inc

PJQ2800_R1_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 6DFN

В производстве6-VDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 5.2A, 4.5V
Базовый Part NumberPJQ2800
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds515pF @ 10V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.2A (Ta)
Power - Max1.45W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Корпус производителяDFN2020-6L

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)