PJQ2408_R1_00001

Panjit International Inc

PJQ2408_R1_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

В производстве6-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.5mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds781 pF @ 25 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Корпус производителяDFN2020B-6

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)