PJQ1906_R1_00201

Panjit International Inc

PJQ1906_R1_00201

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

В производстве3-UFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds45 pF @ 10 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность700mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case3-UFDFN
Корпус производителяDFN1006-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)