PJQ1821_R1_00001

Panjit International Inc

PJQ1821_R1_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 0.6A 6DFN

Снят с производства6-UFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 300mA, 4.5V
Базовый Part NumberPJQ1821
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds51pF @ 10V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA (Ta)
Power - Max400mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-UFDFN
Корпус производителяDFN1010-6L

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)