PJL9430A_R2_00001

Panjit International Inc

PJL9430A_R2_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds815 pF @ 15 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.8A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOP

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)