PJF10NA60_T0_10001

Panjit International Inc

PJF10NA60_T0_10001

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET

УстаревшийTO-220-3 Full Pack, Isolated TabАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1192 pF @ 25 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Корпус производителяITO-220AB-F

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)