PJE8412_R1_00001

Panjit International Inc

PJE8412_R1_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Снят с производстваSOT-523Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.87 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds34 pF @ 15 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность300mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-523
Корпус производителяSOT-523

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)