PJD45N03_L2_00001

Panjit International Inc

PJD45N03_L2_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Снят с производстваTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds660 pF @ 25 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 45A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta), 40W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)