PJD3NA50_L2_00001

Panjit International Inc

PJD3NA50_L2_00001

Аналоговые и силовые компоненты

500V N-CHANNEL MOSFET

Снят с производстваTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2Ohm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds260 pF @ 25 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность34W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)