PJD35N06A-AU_L2_000A1

Name: PJD35N06A-AU_L2_000A1
Brand: Panjit International Inc

Аналоговые и силовые компоненты

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	21mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1680 pF @ 20 V
Производитель	Panjit International Inc.
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Напряжение сток-исток	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.7A (Ta), 35A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	1.3W (Ta), 75W (Tc)

Корпус	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)