PJD30N15_L2_00001

Panjit International Inc

PJD30N15_L2_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1764 pF @ 30 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta), 25A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta), 102W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)