PJD14P10A_L2_00001

Panjit International Inc

PJD14P10A_L2_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

100V P-CHANNEL MOSFET

В производствеTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 7A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2298 pF @ 30 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta), 14A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta), 60W (Tc)

Механические

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)