PJD12P06-AU_L2_000A1

Panjit International Inc

PJD12P06-AU_L2_000A1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Снят с производстваTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 6A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds385 pF @ 25 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta), 12A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta), 50W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101