PJ2301_R1_00001

Panjit International Inc

PJ2301_R1_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 3.1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds416 pF @ 10 V
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.25W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)