PCDB20120G1_R2_00001

Panjit International Inc

PCDB20120G1_R2_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO263

В производствеАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberPCDB20120
Capacitance @ Vr, F1040pF @ 1V, 1MHz
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 20 A
Current - Average Rectified (Io)20A
Current - Reverse Leakage @ Vr180 µA @ 1200 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Корпус производителяTO-263

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C