PCDB0865G1_R2_00001

Panjit International Inc

PCDB0865G1_R2_00001

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263

В производствеАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberPCDB0865
Capacitance @ Vr, F296pF @ 1V, 1MHz
ПроизводительPanjit International Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr60 µA @ 650 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Корпус производителяTO-263

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C