Общие
| Конфигурация выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Производитель | OSRAM Opto (ams OSRAM) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Response Time | 13µs, 17µs |
| Sensing Distance | 0.205" (5.2mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| Тип | Unamplified |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Конфигурация выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Производитель | OSRAM Opto (ams OSRAM) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Response Time | 13µs, 17µs |
| Sensing Distance | 0.205" (5.2mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| Тип | Unamplified |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 40 mA |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Module, Slotted |
| Рабочая температура | -40°C~85°C |
|---|