SVC6H890N

onsemi

SVC6H890N

Аналоговые и силовые компоненты

SVC6H890N

Снят с производстваDieАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs530µOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs485 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds31000 pF @ 48 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 1.4mA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C620A (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseDie
Корпус производителяDie

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)