STD5407NNT4G

onsemi

STD5407NNT4G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V DPAK-3

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 32 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Ta), 38A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.9W (Ta), 75W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101