Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SI9955 |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 345pF @ 15V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 50V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
| Power - Max | 900mW |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус производителя | 8-SOIC |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|