Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 10A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 20 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1W (Ta), 23W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус производителя | DPAK/TP-FA |
| Рабочая температура | 150°C |
|---|