RFP4N100

onsemi

RFP4N100

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3

УстаревшийTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Базовый Part NumberRFP4N
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220-3