RFD3055LESM

onsemi

RFD3055LESM

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs107mOhm @ 8A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность38W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)