Общие
| Конфигурация выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Базовый Part Number | QVB112 |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole, Flange |
| Product Status | Obsolete |
| Sensing Distance | 0.125" (3.18mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| Серия | QVB |
| Тип | Unamplified |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | Module, PC Pins, Slot Type |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~85°C |
|---|