Общие
| Конфигурация выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Базовый Part Number | QVA112 |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Sensing Distance | 0.125" (3.18mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| Серия | QVA |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Конфигурация выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Базовый Part Number | QVA112 |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Sensing Distance | 0.125" (3.18mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| Серия | QVA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
| Package / Case | Module, PC Pins, Slot Type |
|---|
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
|---|