Общие
| Тип выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Базовый Part Number | QRE111 |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Response Time | 20µs, 20µs |
| Sensing Distance | 0.039" (1mm) |
| Sensing Method | Reflective |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 4-DIP (0.157", 4.00mm) |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~85°C |
|---|